Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0016120B SiC 1,2 кВ 75 А — набор 2 шт.

Транзистор N-MOSFET от SMC DIODE SOLUTIONS модели S3M0016120B — это мощный компонент на основе карбида кремния (SiC) для высоковольтных применений. Он обеспечивает рабочий ток 75 А и напряжение 1,2 кВ, что делает его идеальным для промышленной электроники и силовых преобразователей.

• Технология SiC для высокой эффективности
• Напряжение сток-исток 1,2 кВ
• Ток стока 75 А, импульсный 250 А
• Рассеиваемая мощность 576 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 25 мОм
• Корпус T2PAK, монтаж SMD
• Комплект из 2 шт.

Высокая эффективность технологии SiC

Использование технологии SiC позволяет снизить потери энергии и повысить КПД устройства. Низкое сопротивление в открытом состоянии 25 мОм минимизирует нагрев компонента во время работы. Это особенно важно для систем, где критичны энергоэффективность и стабильность параметров.

Мощность и импульсные характеристики

Транзистор рассчитан на рассеивание мощности до 576 Вт, что свидетельствует о его выносливости в сложных условиях. Максимальный импульсный ток стока составляет 250 А, что позволяет использовать компонент в цепях с высокими пиковыми нагрузками. Такой запас прочности обеспечивает надежность работы при резких всплесках тока.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе T2PAK с технологией монтажа SMD, что упрощает автоматизированное производство плат. В комплекте поставляется 2 шт., что удобно для прототипирования или замены. Наличие вывода Кельвина улучшает точность измерений и управления в силовых схемах. Заряд затвора составляет 287 нКл, что влияет на скорость переключения и потери на управление. Диапазон напряжения затвор-исток от -4 до 18 В обеспечивает гибкость в выборе драйверов. Канал обогащаемый, что гарантирует стабильное открывание при подаче управляющего сигнала. Транзистор является униполярным, что упрощает схемотехнику силовых ключей.