Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170J, SiC, 1,7 кВ, 4,1 А, D2PAK-7 (комплект 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET от SMC DIODE SOLUTIONS (модель S1M1000170J) — это силовой компонент на основе карбида кремния (SiC), предназначенный для работы в высоковольтных схемах. Комплект из 10 штук обеспечивает необходимое количество элементов для серийного производства или ремонта оборудования.

• Технология SiC для высокой эффективности
• Напряжение сток-исток 1,7 кВ
• Ток стока 4,1 А (импульсный 15 А)
• Корпус D2PAK-7, монтаж SMD
• Комплект из 10 транзисторов

Высоковольтная стойкость

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1,7 кВ, что позволяет использовать его в инверторах и источниках питания высокой мощности. Такой параметр критичен для устройств, где стандартные кремниевые компоненты не выдерживают нагрузку.

Эффективность технологии SiC

Использование технологии SiC (карбид кремния) обеспечивает лучшие энергетические характеристики по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами. Это позволяет снизить потери энергии и повысить общий КПД устройства.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе D2PAK-7 с технологией монтажа SMD, что упрощает автоматизированную установку на печатные платы. Наличие вывода Кельвина помогает уменьшить влияние индуктивности выводов на скорость переключения.

Мощность и ток

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 100 Вт, а номинальный ток стока — 4,1 А. В импульсном режиме транзистор выдерживает ток до 15 А, что важно для пусковых токов и кратковременных перегрузок.

Комплектация

В комплекте поставляется 10 транзисторов, что удобно для замены группы компонентов или создания небольшой партии устройств.