Транзистор P-MOSFET ROHM RQ3E120ATTB, -30В, -39А, HSMT8 (20 шт.)
1 990 ₴
- В наличии
- Код: TM077008
Транзистор P-MOSFET ROHM RQ3E120ATTB, -30В, -39А, HSMT8 (20 шт.)В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор ROHM RQ3E120ATTB в корпусе HSMT8 для SMD-монтажа. Комплект состоит из 20 штук.
- P-MOSFET транзистор с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток -30 В
- Ток стока -39 А, импульсный -48 А
- Рассеиваемая мощность 20 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 11,3 мОм
- Корпус HSMT8 для SMD-монтажа
- Комплект из 20 транзисторов
Тип и монтаж
Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе HSMT8. Такое исполнение обеспечивает компактность узла и удобство автоматизированной установки.
Напряжение и ток
Максимальное напряжение сток-исток составляет -30 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Ток стока равен -39 А, а в импульсном режиме достигает -48 А. Эти параметры определяют рабочий диапазон транзистора в схемах управления.
Мощность и сопротивление
Рассеиваемая мощность составляет 20 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 11,3 мОм, что снижает потери энергии. Заряд затвора — 62 нКл, что влияет на скорость переключения.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 11.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | HSMT8 |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴