Транзистор IGBT ROHM RGT16BM65DTL, 650В, 8А, TO252, набор 10 шт.

IGBT-транзистор ROHM RGT16BM65DTL в корпусе TO252 предназначен для силовых электронных схем с напряжением до 650 В. Комплект состоит из 10 штук, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Постоянный ток коллектора: 8 А
• Рассеиваемая мощность: 47 Вт
• Корпус: TO252 (SMD монтаж)
• Интегрированный антипараллельный диод
• Набор: 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 650 В и постоянным током коллектора 8 А. Компонент предназначен для силовых электронных схем.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 47 Вт. Корпус TO252 (DPAK) с монтажом SMD обеспечивает компактное размещение на плате и эффективный отвод тепла, что важно для плотно смонтированных устройств.

Быстрая коммутация и низкие потери

Время включения транзистора — 27 нс, а время выключения — 170 нс. Такие характеристики минимизируют потери при переключении. Заряд затвора составляет 21 нКл, что влияет на скорость управления транзистором.

Встроенный диод и управление затвором

Компонент имеет интегрированный антипараллельный диод, что упрощает схему и уменьшает количество внешних элементов. Максимальное напряжение затвор-эмиттер составляет ±30 В, что определяет допустимые параметры управляющего сигнала.