Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD16N06LESM9A, 60 В, 16 А, DPAK (набор 10 шт.)
2 360 ₴
- В наличии
- Код: TM036658
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD16N06LESM9A, 60 В, 16 А, DPAK (набор 10 шт.)В наличии
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD16N06LESM9A — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 16 А
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 47 мОм
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 16 А. Рассеиваемая мощность составляет 90 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 47 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Заряд затвора составляет 62 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 90 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 16 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 47 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 360 ₴