Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E100AJTCR, 30 В, 10 А, DFN2020-8S (набор 20 шт.)
2 340 ₴
- В наличии
- Код: TM036655
Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E100AJTCR, 30 В, 10 А, DFN2020-8S (набор 20 шт.)В наличии
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов ROHM RF4E100AJTCR типа N-MOSFET в корпусе DFN2020-8S. Компоненты предназначены для монтажа на поверхность платы (SMD) и имеют номинальный ток 10 А при напряжении 30 В.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 10 А (импульсный 36 А)
- Корпус: DFN2020-8S, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 12,4 мОм
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с напряжением сток-исток 30 В и постоянным током стока 10 А. Импульсный ток составляет 36 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 12,4 мОм, а заряд затвора — 13 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DFN2020-8S. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±12 В.
Комплектация
В упаковке содержится 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 12.4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DFN2020-8S |
Информация для заказа
- Цена: 2 340 ₴