Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E080GNTR, 30V, 8A, DFN2020-8S (комплект 40 шт.)

Комплект из 40 транзисторов ROHM RF4E080GNTR типа N-MOSFET в корпусе DFN2020-8S. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) на печатную плату в электронных устройствах с нагрузкой до 8 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащаемый канал
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 8 А (импульсный до 32 А)
• Корпус: DFN2020-8S, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 17,6 мОм
• Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор имеет напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока 8 А. Импульсный ток может достигать 32 А, что позволяет работать с кратковременными пиковыми нагрузками. Сопротивление в открытом состоянии составляет 17,6 мОм, что минимизирует потери энергии при коммутации.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в компактном корпусе DFN2020-8S, обеспечивающем высокую плотность размещения на печатной плате. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), который является стандартом для современной электроники. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 2 Вт, поэтому при проектировании схемы необходимо учитывать теплоотвод.

Управление и заряд затвора

Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом, что требует положительного напряжения на затворе для открытия. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора равен 5,8 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу.