Транзистор N-MOSFET ROHM RE1J002YNTCL, 50В, 200мА, SOT416F (набор 70 шт.)
1 950 ₴
- В наличии
- Код: TM076963
Транзистор N-MOSFET ROHM RE1J002YNTCL, 50В, 200мА, SOT416F (набор 70 шт.)В наличии
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ROHM RE1J002YNTCL — это униполярный полевой транзистор с индуцированным каналом. Модель выполнена в корпусе SOT416F для монтажа SMD и поставляется комплектом из 70 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET с индуцированным каналом
- Максимальное напряжение сток-исток: 50 В
- Постоянный ток стока: 200 мА (импульсный до 0,8 А)
- Корпус SOT416F для поверхностного монтажа (SMD)
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- Комплект: 70 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 50 В и постоянный ток стока 200 мА. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 0,8 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 150 мВт, а сопротивление в открытом состоянии — 9 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT416F. Технология монтажа SMD (поверхностный монтаж). Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В.
Комплектация
Товар поставляется в виде набора, содержащего 70 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.15 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 50 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | SOT416F |
Информация для заказа
- Цена: 1 950 ₴