Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N/P-MOSFET ROHM QS8M31TR, 60 В, 3 А, корпус TSMD8, комплект 30 шт.

2 690 ₴

  • В наличии
  • Код: TM020218
Транзистор N/P-MOSFET ROHM QS8M31TR, 60 В, 3 А, корпус TSMD8, комплект 30 шт.
Транзистор N/P-MOSFET ROHM QS8M31TR, 60 В, 3 А, корпус TSMD8, комплект 30 шт.В наличии
2 690 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Комплект из 30 транзисторов ROHM QS8M31TR типа N/P-MOSFET в корпусе TSMD8. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных устройствах с напряжением до 60 В и током до 3 А.

  • Комплект из 30 транзисторов
  • Тип: N/P-MOSFET, униполярный
  • Напряжение сток-исток: 60/-60 В
  • Ток стока: 3/-2 А
  • Рассеиваемая мощность: 1,5 Вт
  • Корпус TSMD8 для SMD монтажа

Электрические параметры

Транзисторы имеют напряжение сток-исток 60 В (для N-канала) и -60 В (для P-канала). Ток стока составляет 3 А и -2 А соответственно. В импульсном режиме ток стока может достигать 4–6 А. Рассеиваемая мощность — 1,5 Вт.

Электрические параметры

Сопротивление в открытом состоянии составляет 137 мОм для N-канала и 266 мОм для P-канала. Заряд затвора — 4 нКл и 7,2 нКл. Напряжение затвор-исток — ±20 В.

Корпус и монтаж

Компоненты выполнены в корпусе TSMD8 для поверхностного монтажа (SMD). Это обеспечивает компактность узлов и автоматизацию процесса сборки плат.

Характеристики
Основные
ПроизводительRohm Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания1.5 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте30 шт.
КорпусTSMD8
Информация для заказа
  • Цена: 2 690 ₴