Транзистор ONSEMI PZT651T1G NPN 60V 2A SOT223-4 (набор 30 шт.)
2 290 ₴
- В наличии
- Код: TM036640
Транзистор ONSEMI PZT651T1G NPN 60V 2A SOT223-4 (набор 30 шт.)В наличии
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI PZT651T1G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры NPN. Товар поставляется набором из 30 единиц в корпусе SOT223-4 (TO261-4) для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип: биполярный транзистор структуры NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
- Ток коллектора: 2 А
- Мощность рассеивания: 0,8 Вт
- Корпус: SOT223-4 (TO261-4), монтаж SMD
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 В и ток коллектора 2 А. Мощность рассеивания составляет 0,8 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Коэффициент усиления по току (hFE) равен 40, а граничная частота — 75 МГц.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT223-4, который также обозначается как TO261-4. Монтаж выполняется на поверхность (SMD).
Комплектация
В комплекте поставки находится 30 транзисторов ONSEMI PZT651T1G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 60 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 75 МГц |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223-4, TO261-4 |
Информация для заказа
- Цена: 2 290 ₴