Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN8R2-80YS, 80В, 82А, LFPAK56 (PSMN8R2-80YS.115) (PSMN8R2-80YS,115) — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN8R2-80YS — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для силовых электронных схем. Модель обеспечивает рабочий ток 82 А и напряжение 80 В, что делает её пригодной для мощных нагрузок.

• Ток стока 82 А
• Импульсный ток 326 А
• Напряжение сток-исток 80 В
• Сопротивление в открытом состоянии 5,8 мОм
• Рассеиваемая мощность 130 Вт
• Корпус LFPAK56 (SMD)
• Набор из 20 шт.

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 82 А и импульсный ток до 326 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 130 Вт, что позволяет использовать компонент в схемах с высоким энергопотреблением без риска перегрева.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности равно 5,8 мОм. Такое низкое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, повышая общий КПД устройства.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе LFPAK56 (также известном как PowerSO8 или SOT669) для поверхностного монтажа (SMD). Этот формат обеспечивает эффективный отвод тепла и компактное размещение на печатной плате.

Электрические параметры управления

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а суммарный заряд затвора — 55 нКл. Эти характеристики определяют скорость переключения и требования к драйверу затвора в вашей схеме.

Комплектация

Внимание: товар продается набором из 20 шт. Это удобно для серийного производства или ремонта оборудования, где используется несколько транзисторов одновременно.