Транзистор N-MOSFET NEXPERIA PSMN4R0-30YLDX, 30 В, 95 А, 64 Вт, комплект 30 шт.

Транзистор N-MOSFET NEXPERIA PSMN4R0-30YLDX — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе LFPAK56 (PowerSO8, SOT669) для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 95 А (импульсный до 378 А)
• Максимальная мощность рассеивания: 64 Вт
• Корпус: LFPAK56 (PowerSO8, SOT669), монтаж SMD
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, что определяет рабочий диапазон нагрузки. Максимально допустимый ток стока равен 95 А, а импульсный ток может достигать 378 А. Мощность рассеивания ограничена значением 64 Вт, что требует соответствующего теплового расчета при проектировании устройства.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе LFPAK56, также известном как PowerSO8 или SOT669. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).

Комплектация

В упаковке содержится 30 транзисторов. Заряд затвора составляет 9,1 нКл, что влияет на скорость переключения. Сопротивление в открытом состоянии равно 4,4 мОм, что минимизирует потери энергии при прохождении тока. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.