
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R7-60BS, 60 В, 120 А, D2PAK (PSMN1R7-60BS,118) — набор 10 шт.
3 300 ₴
- В наличии
- Код: TM036622
N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN1R7-60BS — это униполярный компонент с каналом обогащения, обладающий параметрами для работы в цепях с высокими токами. Модель отличается низким сопротивлением в открытом состоянии и высоким током стока, что обеспечивает эффективную работу в устройствах с питанием до 60 В.
- Ток стока 120 А
- Низкое сопротивление в открытом состоянии 4,5 мОм
- Напряжение сток-исток 60 В
- Рассеиваемая мощность 306 Вт
- Корпус D2PAK (SOT404) для SMD монтажа
- Набор из 10 транзисторов
Высокие параметры тока и напряжения
Транзистор рассчитан на максимальный ток стока 120 А и напряжение сток-исток 60 В. Эти характеристики определяют возможности компонента в цепях с большой нагрузкой. Рассеиваемая мощность 306 Вт свидетельствует о способности компонента выдерживать значительные тепловые нагрузки при правильном монтаже и охлаждении.
Низкое сопротивление и заряд затвора
Сопротивление в состоянии проводимости составляет всего 4,5 мОм, что минимизирует нагрев транзистора во время работы. Низкое сопротивление снижает нагрев компонента в процессе эксплуатации. Заряд затвора составляет 137 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK (SOT404) с технологией монтажа SMD. Корпус D2PAK (SOT404) является стандартным для поверхностного монтажа. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 штук.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 306 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, SOT404 |
| Производитель | NEXPERIA |
- Цена: 3 300 ₴
