Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN0R9-30YLDX, 30В, 284А, 291Вт (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN0R9-30YLDX — это силовой полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на ток 284 А и рассеивание мощности 291 Вт. Компонент выполнен в корпусе LFPAK56E (PowerSO8, SOT1023) для монтажа на поверхность (SMD) и поставляется набором из 10 штук.

• Ток стока 284 А и импульсный ток 1,8 кА
• Рассеиваемая мощность 291 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 1,44 мОм
• Корпус LFPAK56E (PowerSO8, SOT1023) для SMD-монтажа
• Логический уровень управления (logic level)
• Набор из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзистор выдерживает постоянный ток стока 284 А и импульсный ток до 1,8 кА. Сопротивление в открытом состоянии составляет 1,44 мОм.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 291 Вт. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

Управление и монтаж

Прибор имеет логический уровень управления (logic level). Общий заряд затвора 109 нКл определяет скорость переключения и требования к управляющему сигналу. Монтаж выполняется методом SMD в корпусе SOT1023.