Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN057-200P, 200 В, 39 А, 250 Вт, SOT78 (PSMN057-200P.127) — набор 10 шт.

N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN057-200P — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 200 В. Прибор обеспечивает постоянный ток 39 А и рассеивает мощность 250 Вт, что делает его пригодным для силовых схем с высокой нагрузкой.

• Ток стока 39 А и импульсный ток 156 А
• Рабочее напряжение сток-исток 200 В
• Мощность рассеивания 250 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 41 мОм
• Корпус SOT78 (TO220AB) для монтажа THT
• Набор из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзистор работает с током стока 39 А, а в импульсном режиме выдерживает пиковое значение 156 А. Такая характеристика позволяет использовать компонент в устройствах с резкими скачками потребления энергии, обеспечивая стабильность работы.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 250 Вт, что требует качественного отвода тепла от корпуса. Низкое сопротивление в открытом состоянии (41 мОм) минимизирует потери энергии и нагрев при длительной эксплуатации.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе SOT78 (TO220AB) для монтажа в отверстия (THT). Это стандартное решение для печатных плат, упрощающее пайку и интеграцию в существующие электронные модули.

Управление и заряды затвора

Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимые уровни управляющего сигнала. Заряд затвора 96 нКл влияет на скорость переключения и требования к драйверу. Товар поставляется набором из 10 транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.