Транзистор P-MOSFET Nexperia PMV160UP,215, SOT23, набор 70 шт.

P-канальный MOSFET-транзистор Nexperia PMV160UP,215 в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Набор состоит из 70 единиц компонентов, предназначенных для электронных схем с нагрузкой до -800 мА и напряжением до -20 В.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Максимальный ток стока: -800 мА
• Напряжение сток-исток: -20 В
• Рассеиваемая мощность: 0,48 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,38 Ом
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Количество в наборе: 70 шт.

Электрические характеристики

Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащенного типа. Максимальный ток стока составляет -800 мА, а предельное напряжение сток-исток — -20 В. Рассеиваемая мощность равна 0,48 Вт.

Сопротивление и заряд затвора

Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,38 Ом, что влияет на тепловые потери при работе. Заряд затвора составляет 4 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±8 В. Эти параметры определяют условия управления транзистором в схемах.