
Транзистор N-MOSFET Nexperia PMPB215ENEA/FX, 80 В, 1,2 А, SMD (комплект 30 шт.)
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM076754
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Nexperia PMPB215ENEA/FX — это полевой транзистор с каналом n-типа и технологией Trench. Модель рассчитана на напряжение 80 В и ток 1,2 А, выполнена в компактном корпусе SMD для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: N-MOSFET с технологией Trench
- Максимальное напряжение сток-исток: 80 В
- Ток стока: 1,2 А (импульсный до 7,6 А)
- Корпус: DFN2020MD-6 (SOT1220), монтаж SMD
- Комплект: 30 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 80 В и номинальный ток стока 1,2 А. В импульсном режиме ток может достигать 7,6 А, а рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт. Сопротивление в состоянии проводности равно 445 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе DFN2020MD-6 (SOT1220) с типом монтажа SMD. Заряд затвора составляет 7,2 нКл.
Комплектация
Товар поставляется набором из 30 штук. Комплект содержит 30 транзисторов. Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом. Символ производителя: PMPB215ENEA/FX.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 445 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | DFN2020MD-6, SOT1220 |
| Производитель | NEXPERIA |
Информация для заказа
- Цена: 2 030 ₴
