Транзистор N-MOSFET PanJit PJT7800-R1, 20 В, 1 А, SOT363, 150 шт (PJT7800_R1_00001)
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM076697
Транзистор N-MOSFET PanJit PJT7800-R1, 20 В, 1 А, SOT363, 150 шт (PJT7800_R1_00001)В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 150 транзисторов PanJit PJT7800-R1 типа N-MOSFET в корпусе SOT363. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и работы в электронных схемах с напряжением до 20 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 В
- Максимально допустимый ток стока: 1 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,35 Вт
- Корпус: SOT363, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 150 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 20 В и ток стока 1 А. Мощность рассеивания составляет 0,35 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT363 с типом монтажа SMD.
Дополнительные характеристики и импульсный ток
Максимальный импульсный ток стока (Idm) составляет 4 А, а заряд затвора — 1,6 нКл. В упаковке содержится 150 единиц транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Panjit |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 150 шт. |
| Корпус | SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴