Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N/P-MOSFET PanJit PJT7600-R1, 20 В, 1 А, SOT363, набор 60 шт (PJT7600_R1_00001)

2 210 ₴

  • В наличии
  • Код: TM036588
Транзистор N/P-MOSFET PanJit PJT7600-R1, 20 В, 1 А, SOT363, набор 60 шт (PJT7600_R1_00001)
Транзистор N/P-MOSFET PanJit PJT7600-R1, 20 В, 1 А, SOT363, набор 60 шт (PJT7600_R1_00001)В наличии
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Набор из 60 транзисторов PanJit PJT7600-R1 в корпусе SOT363. Это комплементарная пара N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов с напряжением 20 В и током до 1 А.

  • Набор из 60 транзисторов в корпусе SOT363
  • Комплементарная пара N/P-MOSFET с обогащенным каналом
  • Максимальное напряжение «сток-исток»: 20 В / -20 В
  • Ток стока: 1 А
  • Сопротивление в открытом состоянии: 400 мОм / 600 мОм
  • Рассеиваемая мощность: 0,35 Вт

Тип транзистора

Транзистор является униполярным прибором с обогащенным каналом. Тип транзистора: N/P-MOSFET. Максимальное напряжение «сток-исток» составляет 20 В для N-канала и -20 В для P-канала.

Электрические параметры

Ток стока (Id) для N-канала составляет 1 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 400 мОм для N-канала и 600 мОм для P-канала. Рассеиваемая мощность ограничена 0,35 Вт. Напряжение «затвор-исток» (Vgs) — ±8 В.

Монтаж и корпус

Компоненты выполнены в корпусе SOT363 для поверхностного монтажа (SMD). Заряд затвора (Qg) составляет 1,6 нКл для N-канала и 2,2 нКл для P-канала.

Характеристики
Основные
ПроизводительPanjit
Максимальная мощность рассеивания0.35 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток8 В
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте60 шт.
КорпусSOT363
Информация для заказа
  • Цена: 2 210 ₴