Транзистор N-MOSFET PanJit PJMP120N60EC, 600В, 30А, TO220AB (PJMP120N60EC_T0_00001) — набор 10 шт.
3 540 ₴
- В наличии
- Код: TM020134
Транзистор N-MOSFET PanJit PJMP120N60EC, 600В, 30А, TO220AB (PJMP120N60EC_T0_00001) — набор 10 шт.В наличии
3 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор PanJit PJMP120N60EC — это N-MOSFET с каналом обогащения, работающий при напряжении до 600 В. Компонент в корпусе TO220AB с монтажом THT обеспечивает ток стока 30 А и рассеиваемую мощность 235 Вт.
- Напряжение сток-исток до 600 В
- Ток стока 30 А (импульсный до 69 А)
- Рассеиваемая мощность 235 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 0,12 Ом
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набор из 10 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор работает при напряжении сток-исток до 600 В. Номинальный ток стока составляет 30 А, а импульсный ток может достигать 69 А. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 235 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,12 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220AB с монтажом THT. Заряд затвора составляет 51 нКл.
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Panjit |
| Максимальная мощность рассеивания | 235 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Информация для заказа
- Цена: 3 540 ₴