Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N06A_L2_00001, 60В, 25А, TO252AA (30 шт.)
2 320 ₴
- В наличии
- Код: TM036586
Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N06A_L2_00001, 60В, 25А, TO252AA (30 шт.)В наличии
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET PanJit PJD25N06A_L2_00001 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе TO252AA для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Постоянный ток стока: 25 А (импульсный до 100 А)
- Рассеиваемая мощность: 40 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 40 мОм
- Корпус: TO252AA, монтаж SMD
- Комплектация: 30 шт.
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 25 А. В импульсном режиме прибор выдерживает пиковый ток до 100 А.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 40 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 40 мОм.
Управление затвором
Напряжение затвор-исток может изменяться в пределах ±20 В. Суммарный заряд затвора равен 20 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Panjit |
| Максимальная мощность рассеивания | 40 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO252AA |
Информация для заказа
- Цена: 2 320 ₴