Транзистор NEXPERIA PDTA123JT,215 — это биполярный PNP-транзистор типа BRT в корпусе SOT23. Комплект состоит из 200 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный, BRT
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- Граничная частота: 180 МГц
- Встроенные резисторы: 2,2 кОм (база), 47 кОм (эмиттер-база)
- Количество в комплекте: 200 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 0,1 А. Рассеиваемая мощность составляет 250 мВт, а граничная частота — 180 МГц. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.
Встроенные резисторы
Компонент является транзистором типа BRT (Built-in Resistor Transistor), что означает наличие встроенных резисторов. Сопротивление резистора базы равно 2,2 кОм, а резистора эмиттер-база — 47 кОм.
Корпус и монтаж Транзистор выполнен в корпусе SOT23, также известном как TO236AB. Компонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение соответствует стандартам для миниатюрных электронных компонентов. ## Частотные свойства Граничная частота транзистора составляет 180 МГц. Этот параметр характеризует быстродействие компонента и его способность работать в высокочастотных цепях.
Характеристики
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Граничная частота передачи | 180 МГц |
| Основные | |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Производитель | NEXPERIA |
Информация для заказа
- Цена: 1 980 ₴

