Транзистор Nexperia PDTA123ET,215 PNP SOT23, 50В, 0,1А, набор 300 шт.

Транзистор Nexperia PDTA123ET,215 — это биполярный PNP-транзистор со встроенными резисторами (BRT) в корпусе SOT23. Он предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и обеспечивает коммутацию тока до 0,1 А при напряжении коллектор-эмиттер 50 В. Товар поставляется в удобном наборе из 300 штук для серийного производства или ремонтных работ.

• Тип: PNP, биполярный, BRT (со встроенными резисторами)
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Ток коллектора: 0,1 А
• Мощность рассеивания: 250 мВт
• Встроенные резисторы: 2,2 кОм (база-эмиттер, база-коллектор)
• Частота перехода: 180 МГц
• Количество в наборе: 300 шт.

Встроенные резисторы для упрощения схемы

Модель PDTA123ET,215 относится к типу BRT (Bias Resistor Transistor), что означает наличие встроенных резисторов между базой и эмиттером, а также между базой и коллектором. Значение обоих резисторов составляет 2,2 кОм. Наличие встроенных резисторов упрощает схему подключения.

Компактный корпус SOT23 для SMD монтажа

Транзистор выполнен в стандартном корпусе SOT23 (TO236AB), который является одним из самых распространенных для поверхностного монтажа. Монтаж осуществляется методом SMD. Такой форм-фактор позволяет размещать компоненты на плотно заселенных печатных платах.

Электрические параметры

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) составляет 50 В, а постоянный ток коллектора (Ic) — 0,1 А. Мощность рассеивания ограничена 250 мВт (0,25 Вт). Частота перехода fT равна 180 МГц.

Полярность и тип транзистора

Товар реализуется как комплект из 300 транзисторов. Такое количество оптимально для обеспечения потребностей небольшого производства или сборки партии устройств, где используется этот компонент.