Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P80FG7R5EN-5071, 70 В, 80 А, корпус TO263AB (набор 20 шт.)
2 040 ₴
- В наличии
- Код: TM076557
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P80FG7R5EN-5071, 70 В, 80 А, корпус TO263AB (набор 20 шт.)В наличии
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P80FG7R5EN-5071 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на ток 80 А и напряжение 70 В. Товар поставляется комплектом из 20 штук в корпусе FG (TO263AB) для монтажа SMD.
- Ток стока 80 А и импульсный ток 320 А
- Напряжение сток-исток 70 В
- Сопротивление в открытом состоянии 6,4 мОм
- Рассеиваемая мощность 128 Вт
- Корпус FG (TO263AB) для монтажа SMD
- Комплект из 20 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальный ток стока 80 А и импульсный ток 320 А. Напряжение сток-исток составляет 70 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Тип транзистора — N-MOSFET с каналом обогащения. Сопротивление в открытом состоянии равно 6,4 мОм.
Тепловые характеристики и технология
Прибор изготовлен по технологии EETMOS2 и имеет рассеиваемую мощность 128 Вт. Заряд затвора составляет 67 нКл. Символ производителя: P80FG7R5EN-5071. Корпус FG (TO263AB) предназначен для монтажа методом SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 128 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 70 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6.4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | FG (TO263AB) |
| Производитель | SHINDENGEN |
| Технология | EETMOS2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 040 ₴