Транзистор N-MOSFET Shindengen P40B10SN-5071, 100В, 40А, корпус TO252AA (набор 30 шт.)
2 290 ₴
- В наличии
- Код: TM036494
Транзистор N-MOSFET Shindengen P40B10SN-5071, 100В, 40А, корпус TO252AA (набор 30 шт.)В наличии
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор Shindengen P40B10SN-5071 — это полевой транзистор типа N-MOSFET с каналом обогащения. Модель выполнена в поверхностном монтаже (SMD) в корпусе FB (TO252AA) и поставляется набором из 30 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока (постоянный и импульсный): 40 А
- Сопротивление в состоянии проводимости: 16,8 мОм
- Рассеиваемая мощность: 62,5 Вт
- Корпус: FB (TO252AA), монтаж SMD
- Комплектация: набор из 30 транзисторов
Напряжение и ток
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 40 А. В импульсном режиме допустимый ток также составляет 40 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 62,5 Вт.
Сопротивление и заряд затвора
Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) составляет 16,8 мОм. Заряд затвора равен 56 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В. Транзистор является униполярным. Технология изготовления — EETMOS3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 62.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 40 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | FB (TO252AA) |
| Производитель | SHINDENGEN |
| Технология | EETMOS3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 290 ₴