Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P12F60HP2-5600, 600V, 12A, Hi-PotMOS2, корпус FTO-220AG (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P12F60HP2-5600 — это униполярный полупроводниковый прибор с технологией Hi-PotMOS2. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе FTO-220AG (SC91) для монтажа на печатную плату (THT).

• Напряжение сток-исток 600 В
• Ток стока 12 А и импульсный ток 48 А
• Технология Hi-PotMOS2 с сопротивлением проводимости 670 мОм
• Корпус FTO-220AG (SC91) для монтажа THT
• Комплект из 30 транзисторов
• Рассеиваемая мощность 90 Вт

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 12 А. Это позволяет использовать компонент в высоковольтных цепях, где требуется надежная изоляция и стабильная работа под нагрузкой. Импульсный ток стока может достигать 48 А, что обеспечивает запас прочности при кратковременных пиковых нагрузках.

Эффективная технология Hi-PotMOS2

Использование технологии Hi-PotMOS2 от SHINDENGEN обеспечивает низкое сопротивление в состоянии проводимости 670 мОм. Это снижает тепловые потери на компоненте и повышает общий КПД устройства. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 90 Вт, что требует надлежащего отвода тепла при проектировании системы охлаждения.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе FTO-220AG (SC91) с выводами для монтажа на поверхность печатной платы (THT). Такое исполнение упрощает процесс пайки и обеспечивает механическую прочность соединения. Пакетная поставка из 30 транзисторов является выгодным решением для серийного производства или ремонта оборудования, использующего эти компоненты.

Управление и параметры затвора

Напряжение затвор-исток ограничено уровнем ±30 В. Заряд затвора составляет 26,5 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Транзистор имеет обогащенный канал.