
Транзистор N-MOSFET Shindengen P10F60HP2-5600, 600 В, 10 А, Hi-PotMOS2, корпус FTO-220AG (20 шт.)
2 050 ₴
- В наличии
- Код: TM076336
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Shindengen P10F60HP2-5600 — это полупроводниковый прибор на основе технологии Hi-PotMOS2, предназначенный для работы в электрических цепях с напряжением до 600 В. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе FTO-220AG (SC91) с монтажом THT.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащенного типа
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 10 А (постоянный), 40 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,8 Ом
- Корпус: FTO-220AG (SC91), монтаж THT
- Технология: Hi-PotMOS2
- Комплектация: 20 шт.
Рассеиваемая мощность составляет 85 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 0,8 Ом, а полный заряд затвора (Qg) — 23 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 85 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | FTO-220AG (SC91) |
| Производитель | SHINDENGEN |
| Технология | Hi-PotMOS2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 050 ₴
