Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071, 600 В, 0,5 А, SMD, 40 шт.

Транзистор N-MOSFET SHINDENGEN P0R5B60HP2-5071 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 600 В. Комплект состоит из 40 штук в корпусе FB (TO252AA) для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 0,5 А (постоянный), 2 А (импульсный)
• Корпус: FB (TO252AA), монтаж SMD
• Технология: Hi-PotMOS2
• Количество в комплекте: 40 шт.

Высоковольтная работа

Транзистор работает при напряжении сток-исток до 600 В, что позволяет использовать его в высоковольтных схемах. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В. Постоянный ток стока — 0,5 А, импульсный — до 2 А.

Мощность и сопротивление

Максимальная рассеиваемая мощность компонента — 35 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 10 Ом, а заряд затвора — 4,3 нКл, что влияет на скорость переключения.

Корпус и технология

Компонент выполнен в корпусе FB (TO252AA) для поверхностного монтажа (SMD). Используется технология Hi-PotMOS2. В упаковке содержится 40 транзисторов.