Транзистор P-MOSFET Nexperia NXV65UPR, SOT23, -20В, -1,3А (комплект 70 шт.)
2 120 ₴
- В наличии
- Код: TM076269
Транзистор P-MOSFET Nexperia NXV65UPR — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии Trench. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23 (TO236AB). Комплект состоит из 70 единиц.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Технология: Trench
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -1,3 А (постоянный), -8,4 А (импульсный)
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,15 Ом
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Комплект: 70 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до -20 В и постоянным током стока -1,3 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает -8,4 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,15 Ом, что обеспечивает эффективное переключение. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В.
Тепловые характеристики
Максимальная рассеиваемая мощность равна 0,34 Вт. Заряд затвора составляет 5,8 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Компактный корпус SOT23 (TO236AB) предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает размещение компонента на печатной плате.
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.34 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Производитель | NEXPERIA |
- Цена: 2 120 ₴