Транзистор N-MOSFET NEXPERIA NX3020NAKV, 30 В, 120 мА, SOT666 (NX3020NAKV.115) (NX3020NAKV,115) — набор 50 шт.
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM076265
Транзистор N-MOSFET NEXPERIA NX3020NAKV, 30 В, 120 мА, SOT666 (NX3020NAKV.115) (NX3020NAKV,115) — набор 50 шт.В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда NEXPERIA, модель NX3020NAKV,115. Это униполярный компонент, содержащий два транзистора в корпусе SOT666, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 50 шт.
- Тип: N-MOSFET x2 (два транзистора в одном корпусе)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 0,12 А
- Максимальная мощность рассеивания: 0,375 Вт
- Корпус: SOT666, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В. Максимально допустимый ток стока равен 0,12 А (120 мА). Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,375 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT666 с типом монтажа SMD.
Импульсные характеристики и параметры управления
Максимальный импульсный ток стока (Idm) составляет 0,8 А. Заряд затвора равен 0,44 нКл. В наборе поставляется 50 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9200 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SOT666 |
| Производитель | NEXPERIA |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴