Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVTJD4001NT1G, SMD, 30 В, 0,18 А, 50 шт.
2 120 ₴
- В наличии
- Код: TM076258
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVTJD4001NT1G, SMD, 30 В, 0,18 А, 50 шт.В наличии
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVTJD4001NT1G — это униполярный компонент с двумя каналами, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 50 штук в корпусе SC70-6 (SOT363).
- Тип: N-MOSFET x2 (двойной транзистор)
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 0,18 А
- Мощность рассеивания: 0,272 Вт
- Корпус: SC70-6 / SOT363 (SMD)
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 30 В и максимальный ток стока 0,18 А. Мощность рассеивания составляет 0,272 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 1,5 Ом. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC70-6, также известном как SC88 или SOT363. Тип монтажа — SMD.
Комплектация
В упаковке находится 50 транзисторов. Канал транзистора является обогащенного типа (enhancement mode).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.272 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.18 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 2 120 ₴