Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLTAG, WDFN8, -60В, -10А (комплект 20 шт.)
2 570 ₴
- В наличии
- Код: TM019979
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLTAG, WDFN8, -60В, -10А (комплект 20 шт.)В наличии
2 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLTAG в корпусе WDFN8 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -10 А
- Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
- Корпус: WDFN8, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 52 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток -60 В и ток стока -10 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 52 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что требует соблюдения режимов управления.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе WDFN8, который обеспечивает компактные размеры и эффективный отвод тепла. Монтаж осуществляется методом SMD, что подходит для автоматизированных линий сборки электронных плат.
Комплектация
В комплект входят 20 транзисторов ONSEMI NVTFS5116PLTAG.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 52 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | WDFN8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 570 ₴