Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVR4501NT1G, 20 В, 2,4 А, SOT23, набор 30 шт.

Набор из 30 транзисторов ONSEMI NVR4501NT1G типа N-MOSFET в корпусе SOT23. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы с напряжением до 20 В и током до 2,4 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 20 В
• Ток стока: 2,4 А (в импульсе до 10 А)
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,105 Ом
• Количество в наборе: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 20 В, а постоянный ток стока — 2,4 А. В импульсном режиме ток может достигать 10 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,105 Ом, что обеспечивает эффективное прохождение тока.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в компактном корпусе SOT23, что позволяет использовать его в устройствах с ограниченным пространством. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж), что упрощает автоматизацию производства печатных плат.

Рассеиваемая мощность и управление затвором

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,25 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Заряд затвора равен 6 нКл, что влияет на скорость переключения. Максимальное напряжение между затвором и истоком — ±12 В, что важно учитывать при выборе драйвера управления.