Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS6H800NLT1G, 80В, 224А, DFN5, комплект 10 шт.
3 570 ₴
- В наличии
- Код: TM019978
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS6H800NLT1G, 80В, 224А, DFN5, комплект 10 шт.В наличии
3 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NVMFS6H800NLT1G — это униполярный компонент с каналом обогащения. Устройство рассчитано на напряжение 80 В и постоянный ток 224 А. Пакет содержит 10 единиц товара в корпусе DFN5 для поверхностного монтажа.
- Ток стока 224 А для мощных нагрузок
- Импульсный ток до 900 А
- Низкое сопротивление открытого канала 1,9 мОм
- Мощность рассеивания 107 Вт
- Корпус DFN5 для SMD-монтажа
- Комплект из 10 транзисторов
Параметры тока
Транзистор выдерживает постоянный ток стока 224 А, что позволяет использовать его в мощных нагрузках. В импульсном режиме допустимый ток достигает 900 А.
Сопротивление и мощность
Сопротивление в открытом состоянии составляет 1,9 мОм. Мощность рассеивания — 107 Вт.
Корпус и комплектация
Компонент выполнен в корпусе DFN5 для технологии поверхностного монтажа (SMD). Пакетная поставка включает 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 107 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 224 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DFN5 |
Информация для заказа
- Цена: 3 570 ₴