Транзистор ONSEMI NVMFS5113PLT1G, P-MOSFET, -60В, -45А, DFN5x6, 10 шт.
3 180 ₴
- В наличии
- Код: TM019977
Транзистор ONSEMI NVMFS5113PLT1G, P-MOSFET, -60В, -45А, DFN5x6, 10 шт.В наличии
3 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор с каналом p-типа ONSEMI NVMFS5113PLT1G в корпусе DFN5x6. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальную мощность рассеивания 75 Вт и сопротивление в открытом состоянии 14 мОм.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Максимальная мощность рассеивания: 75 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 14 мОм
- Корпус: DFN5x6
- Тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом p-типа. Максимальная мощность рассеивания составляет 75 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 14 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DFN5x6. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Полярность транзистора — униполярная.
Комплектация
В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 75 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DFN5x6 |
Информация для заказа
- Цена: 3 180 ₴