Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVMFS5113PLT1G, -60В, -45А, DFN5x6 (10 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVMFS5113PLT1G — это униполярный компонент для электронных схем с напряжением -60 В и током -45 А. Пакет содержит 10 штук в корпусе DFN5x6, что обеспечивает удобство для SMD-монтажа.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Максимальное напряжение сток-исток: -60 В
• Максимальный ток стока: -45 А
• Рассеиваемая мощность: 75 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 14 мОм
• Корпус: DFN5x6, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 10 шт.

Эффективное рассеивание тепла

Компонент способен рассеивать мощность до 75 Вт, что обеспечивает стабильную работу под значительными нагрузками. Максимальный ток стока -45 А позволяет управлять мощными нагрузками без риска перегрузки. Низкое сопротивление в открытом состоянии 14 мОм снижает тепловые потери, повышая общий КПД устройства.

Стабильность в силовых цепях

Максимальное напряжение сток-исток -60 В гарантирует надежную изоляцию и работу в сетях с повышенным напряжением. Допустимое напряжение затвор-исток ±20 В упрощает подбор драйверов управления. Обогащаемый тип канала обеспечивает четкое переключение между состояниями открыто и закрыто, что критично для импульсных источников питания.

Компактный корпус DFN5x6

Компонент выполнен в корпусе DFN5x6, который предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Такой формат корпуса экономит место на печатной плате и обеспечивает хорошую теплопередачу. Пакет из 10 штук удобен для прототипирования или небольших серийных производств. Компактные размеры корпуса позволяют плотно размещать компоненты на плате, что важно для миниатюрных устройств.