Транзистор ONSEMI NVJD5121NT1G, N-MOSFET x2, 60В, 0,212А, SMD, 70 шт.
2 130 ₴
- В наличии
- Код: TM076255
Транзистор ONSEMI NVJD5121NT1G, N-MOSFET x2, 60В, 0,212А, SMD, 70 шт.В наличии
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI NVJD5121NT1G — это набор из 70 штук N-MOSFET транзисторов в корпусе SMD. Предназначен для монтажа на поверхность платы, работает с напряжением до 60 В и током до 0,212 А.
- Тип: N-MOSFET x2 (двойной транзистор)
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Максимальный ток стока: 0,212 А
- Мощность рассеивания: 0,25 Вт
- Корпус: SC70-6, SC88, SOT363 (SMD)
- Количество в наборе: 70 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с двойной структурой (x2). Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а максимальный ток стока — 0,212 А. Мощность рассеивания ограничена значением 0,25 Вт. Сопротивление в проводящем состоянии равно 1,6 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SC70-6, SC88 или SOT363, что соответствует стандарту SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
В комплекте поставляется 70 штук транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.212 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 2 130 ₴