Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVF2955T1G, SOT223, -60В, -2,6А, комплект 20 шт.
2 830 ₴
- В наличии
- Код: TM036449
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVF2955T1G, SOT223, -60В, -2,6А, комплект 20 шт.В наличии
2 830 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 20 транзисторов ONSEMI NVF2955T1G типа P-MOSFET в корпусе SOT223. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных устройствах, требующих управления током до -2,6 А при напряжении -60 В.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -2,6 А
- Рассеиваемая мощность: 2,3 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Сопротивление в открытом состоянии: 154 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным P-MOSFET с напряжением сток-исток -60 В и током стока -2,6 А. Рассеиваемая мощность составляет 2,3 Вт, что позволяет использовать компонент в схемах со средней нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии равно 154 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT223, который популярен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
В набор поставляется 20 транзисторов. Маркировка производителя NVF2955T1G. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 14,3 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 154 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Информация для заказа
- Цена: 2 830 ₴