Транзистор ONSEMI NTZD3152PT1G, P-MOSFET x2, SOT563, комплект 60 шт.
2 000 ₴
- В наличии
- Код: TM076245
Транзистор ONSEMI NTZD3152PT1G, P-MOSFET x2, SOT563, комплект 60 шт.В наличии
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 60 транзисторов ONSEMI NTZD3152PT1G типа P-MOSFET x2 в корпусе SOT563. Предназначен для SMD-монтажа в электронных схемах с напряжением до -20 В и током до -0,43 А.
- Комплект из 60 транзисторов
- Тип: P-MOSFET x2 (двойной)
- Корпус SOT563 для SMD-монтажа
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -430 мА
- Рассеиваемая мощность: 0,25 Вт
Технические характеристики
Транзистор представляет собой двойной P-канальный MOSFET обогащенного типа. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -20 В, а максимальный ток стока — -430 мА. Сопротивление в состоянии проводности равно 2 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT563. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,25 Вт.
Параметры управления
Напряжение между затвором и истоком ограничено значением ±6 В. Заряд затвора составляет 1,7 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 6 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT563 |
Информация для заказа
- Цена: 2 000 ₴