Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTS4101PT1G, SOT323, комплект 60 шт.
2 100 ₴
- В наличии
- Код: TM076244
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTS4101PT1G, SOT323, комплект 60 шт.В наличии
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 60 транзисторов ONSEMI NTS4101PT1G типа P-MOSFET в корпусе SOT323. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных схемах с напряжением до -20 В и током до -0,62 А.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
- Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -0,62 А
- Рассеиваемая мощность: 0,329 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,16 Ом
- Заряд затвора: 6,4 нКл
- Количество в комплекте: 60 шт.
Тип и канал управления
Компонент является униполярным P-MOSFET с обогащенным каналом.
Напряжение и ток
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -20 В, а постоянный ток стока — -0,62 А. Допустимое напряжение на затворе ограничено значением ±8 В.
Сопротивление и заряд затвора
Сопротивление в открытом состоянии равно 0,16 Ом. Общий заряд затвора составляет 6,4 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.329 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 160 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Информация для заказа
- Цена: 2 100 ₴