Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR4170NT1G, 30 В, 1,7 А, SOT23, набор 50 шт.
2 200 ₴
- В наличии
- Код: TM036442
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTR4170NT1G, 30 В, 1,7 А, SOT23, набор 50 шт.В наличии
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 50 транзисторов N-MOSFET от производителя ONSEMI, модель NTR4170NT1G. Компоненты предназначены для монтажа на поверхность (SMD) в корпусе SOT23. Основные параметры: напряжение сток-исток 30 В, ток стока 1,7 А и рассеиваемая мощность 0,48 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 1,7 А
- Рассеиваемая мощность: 0,48 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 50 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а допустимый ток стока — 1,7 А. Сопротивление в состоянии проводимости равно 55 мОм. Напряжение на затворе относительно истока может изменяться в пределах ±12 В.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD). Рассеиваемая мощность составляет 0,48 Вт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.48 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 200 ₴