Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR2101PT1G, SOT23, -8В, -3А (набор 50 шт.)

P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI NTR2101PT1G в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Прибор рассчитан на ток до -3 А и напряжение -8 В.

• Тип: P-MOSFET, канал обогащенного типа
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Ток стока: -3 А
• Напряжение сток-исток: -8 В
• Мощность рассеивания: 0,96 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 52 мОм
• Количество в наборе: 50 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет канал обогащенного типа и полярность P-MOSFET. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -8 В, а максимальный ток стока — -3 А. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В, что определяет допустимые режимы управления.

Мощность и сопротивление

Рассеиваемая мощность равна 0,96 Вт, что соответствует возможностям корпуса SOT23. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 52 мОм, что влияет на тепловые потери при прохождении тока.

Монтаж и комплектация

Компонент предназначен для SMD-монтажа на печатные платы. В комплекте поставляется 50 единиц транзисторов.