Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR1P02T1G, SOT23, -20В, -1А, комплект 60 шт.
2 100 ₴
- В наличии
- Код: TM076237
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR1P02T1G, SOT23, -20В, -1А, комплект 60 шт.В наличии
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 60 транзисторов ONSEMI NTR1P02T1G типа P-MOSFET в корпусе SOT23. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных схемах с напряжением до -20 В и током до -1 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальное напряжение: -20 В
- Максимальный ток: -1 А
- Мощность рассеивания: 0,4 Вт
- Количество в комплекте: 60 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет -20 В, а максимальный ток стока — -1 А. Мощность рассеивания ограничена значением 0,4 Вт. Напряжение между затвором и стоком может изменяться в пределах ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT23. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,18 Ом.
Комплектация
Упаковка содержит 60 единиц транзисторов ONSEMI NTR1P02T1G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 100 ₴