Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR1P02LT1G, SOT23, -20В, -1,3А (набор 60 шт.)
2 180 ₴
- В наличии
- Код: TM036441
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTR1P02LT1G, SOT23, -20В, -1,3А (набор 60 шт.)В наличии
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI NTR1P02LT1G — это униполярный P-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT23. Товар поставляется набором из 60 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Корпус SOT23 для поверхностного монтажа (SMD)
- Максимальное напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -1,3 А
- Рассеиваемая мощность: 0,4 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,22 Ом
- Набор из 60 штук
Электрические параметры
Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток -20 В и ток стока -1,3 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,22 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±12 В, а рассеиваемая мощность — 0,4 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23, что позволяет использовать его в устройствах с ограниченным пространством на плате. Тип монтажа SMD (поверхностный).
Заряд затвора и напряжение управления
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 220 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 180 ₴