Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTMFS5C670NLT1G, 60 В, 50 А, DFN5x6 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTMFS5C670NLT1G — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 50 А при напряжении 60 В. Комплект из 30 штук в корпусе DFN5x6 обеспечивает удобство для массового монтажа на печатных платах.

• Ток стока 50 А и импульсный ток 440 А
• Напряжение сток-исток 60 В
• Сопротивление в открытом состоянии 8,8 мОм
• Корпус DFN5x6 для SMD-монтажа
• Комплект из 30 транзисторов

Высокая токовая нагрузка и напряжение

Прибор выдерживает постоянный ток стока 50 А и импульсный ток до 440 А при напряжении сток-исток 60 В. Это позволяет использовать транзистор в силовых цепях с высокими пиковыми нагрузками и обеспечивает надежность при резких скачках тока.

Низкие потери и управление затвором

Сопротивление в открытом состоянии 8,8 мОм и мощность рассеивания 1,8 Вт минимизируют нагрев компонента. Заряд затвора 20 нК и допустимое напряжение затвор-исток ±20 В упрощают выбор драйвера и обеспечивают быстрое переключение.

Удобный монтаж SMD

Компонент выполнен в корпусе DFN5x6 для поверхностного монтажа (SMD). Это упрощает автоматизацию процесса пайки и экономит место на плате, что критично для компактных электронных устройств.

Тип транзистора и канала