Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJS3157NT1G, 20 В, 2,3 А, SMD (набор 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJS3157NT1G — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется в комплекте из 150 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
• Ток стока: 2,3 А
• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 60 мОм
• Корпус: SC70-6 / SC88 / SOT363, монтаж SMD
• Комплектация: набор из 150 транзисторов

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 20 В и ток стока 2,3 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 60 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 1 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±8 В.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе SC70-6 (также известном как SC88 или SOT363). Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).