Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD5121NT1G, 60 В, 0,295 А, SMD, набор 80 шт.
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM076231
Набор из 80 транзисторов ONSEMI NTJD5121NT1G — это двойные N-MOSFET транзисторы с обогащенным каналом, предназначенные для поверхностного монтажа (SMD). Компоненты имеют напряжение сток-исток 60 В и ток 0,295 А.
- Двойной N-MOSFET транзистор с обогащенным каналом
- Напряжение сток-исток 60 В, ток стока 0,295 А
- Рассеиваемая мощность 0,25 Вт, сопротивление в открытом состоянии 2,5 Ом
- Корпус SC70-6 / SC88 / SOT363 для SMD монтажа
- Наличие ESD защиты
- Набор из 80 транзисторов
Электрические параметры
Транзисторы работают с напряжением сток-исток (VDS) до 60 В и выдерживают напряжение затвор-исток (VGS) ±20 В. Максимальный ток стока составляет 0,295 А, а рассеиваемая мощность ограничена 0,25 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) равно 2,5 Ом, а заряд затвора — 0,9 нКл.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SC70-6 (также известном как SC88 или SOT363). Монтаж осуществляется методом SMD (Surface Mount Device). Транзисторы являются униполярными с обогащенным каналом (enhancement mode).
Защита и комплектация
Транзисторы имеют версию ESD. Товар поставляется набором из 80 штук.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.295 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 80 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
- Цена: 2 030 ₴