Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4401NT1G, 20 В, 0,46 А, SOT363 (50 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4401NT1G — это униполярный компонент с двумя каналами, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 50 штук в корпусе SC70-6 (SOT363) с защитой от электростатического разряда (ESD).

• Два N-MOSFET транзистора в одном корпусе
• Максимальное напряжение сток-исток 20 В
• Ток стока 0,46 А
• Рассеиваемая мощность 0,27 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 445 мОм
• Комплект из 50 штук
• Корпус SOT363 (SC70-6) для SMD монтажа

Электрические параметры и мощность

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 0,46 А. Рассеиваемая мощность составляет 0,27 Вт, что ограничивает тепловую нагрузку на компонент. Сопротивление в открытом состоянии равно 445 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SC70-6 (также известном как SC88 или SOT363). Тип монтажа — SMD. Версия ESD указывает на наличие встроенной защиты от электростатических разрядов.

Управление и заряд затвора

Напряжение затвор-исток ограничено ±12 В, что определяет допустимые пределы управляющего сигнала. Заряд затвора составляет 1,3 нКл. Поляризация транзистора униполярная, а тип канала — обогащенный (enhancement mode), что означает отсутствие тока стока при нулевом напряжении затвора.