Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4001NT1G, 30V, 0,18A, SMD (набор 60 шт.)
2 220 ₴
- В наличии
- Код: TM076229
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4001NT1G, 30V, 0,18A, SMD (набор 60 шт.)В наличии
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTJD4001NT1G — это двойной полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 60 единиц.
- Двойной N-MOSFET транзистор с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 0,18 А
- Рассеиваемая мощность: 0,272 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1,5 Ом
- Корпус: SC70-6 / SC88 / SOT363 (SMD монтаж)
- Комплектация: 60 шт.
Тип транзистора и канал
Компонент представляет собой двойной N-MOSFET транзистор с каналом обогащения. Полярность транзистора — униполярная.
Электрические характеристики
Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Ток стока равен 0,18 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) — 1,5 Ом. Компонент выполнен в корпусе SC70-6 (также известном как SC88 или SOT363) для монтажа SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.272 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.18 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Информация для заказа
- Цена: 2 220 ₴