Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTH4L040N65S3F, 650 В, 45 А, корпус TO247

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTH4L040N65S3F — это полупроводниковый прибор с каналом n-типа и обогащением. Характеризуется напряжением до 650 В и током до 45 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Номинальный ток стока: 45 А, импульсный: 162,5 А
• Рассеиваемая мощность: 446 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 32 мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT

Высокое напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 650 В. Номинальный постоянный ток стока равен 45 А, а импульсный ток может достигать 162,5 А.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 446 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 32 мОм. Корпус TO247 с монтажом THT (через отверстия).

Параметры управления

Напряжение затвор-исток ограничено диапазоном ±30 В. Общий заряд затвора равен 158 нКл. Прибор является униполярным.